Доклад Infineon, Артем Федоровский (45 мин):

Особенности применения дискретных SiC MOSFET в преобразовательной технике

Преимущества использования SiC полупроводников в источниках питания. Параметры SiC MOSFET, обеспечивающие конкурентное преимущество по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET и IGBT транзисторами. Отличия в подходе при проектировании. Обзор новинок SiC MOSFET, драйверов затвора для них, а так же специализированных решений для построения преобразовательной техники на их основе.
 

Доклад Wurth Elektronik, Артем Беляков (45 мин):

Организация вспомогательного изолированного питания для драйверов затвора SiC MOSFET

Типы изолированных систем питания для драйверов затвора SiC MOSFET. Какие требования к ним предъявляются? Однополярное или двуполярное питание? Требования к трансформатору. Необходимая мощность, пример расчета. Изолированный вспомогательный источник питания для драйверов SiC MOSFET на базе трансформаторов серии WE-AGDT. Интеграция систем питания драйверов затвора SiC MOSFET на реальных примерах.

Вопросы и обсуждение 15 минут
 

Так же Вы можете ознакомиться с темами и зарегистрироваться на вебинары, которые проводят наши коллеги из немецкого офиса: 

Расписание вебинаров от Wurth Elektronik на английском языке 

Подпишитесь на нашу станицу в TimePad для оповещения о последующих мероприятиях.

До встречи на вебинаре!  

С уважением,  

Команда Wurth Elektronik RUS